Historien om LED-utvikling
Oppdagelsen av halvleder PN-krysset luminescens kan spores tilbake til 1920-tallet. Den franske forskeren OWLossow observerte først dette luminescensfenomenet da han studerte SiC-detektorer. På grunn av begrensningene for materialforberedelse og enhetsteknologi på den tiden, ble ikke denne viktige oppdagelsen raskt utnyttet. Inntil førti år senere, med utviklingen av III-V gruppematerialer og enhetsteknologi, utviklet folk endelig en praktisk verdi GaAsP lysdiode som sender ut rødt lys, som ble masseprodusert av GE som en instrumentindikator. Siden den gang, på grunn av den videre utviklingen av GaAs, Gap og annen materialforskning og enhetsteknologi, har i tillegg til dyprøde lysdioder, LED-enheter inkludert oransje, gul, gulgrønn og andre farger også dukket opp på markedet i stort antall.
Av ulike grunner har LED-enheter som Gap og GaAsP lav lyseffektivitet, og lysintensiteten er vanligvis under 10mcd, som kun kan brukes til innendørs visningsformål. Selv om AlGaAs-materialet kommer inn i området med indirekte hopp, faller lyseffektiviteten raskt. Med utviklingen av halvledermaterialer og enhetsteknologi, spesielt den økende modenheten til epitaksiale prosesser som MOCVD, på begynnelsen av 1990-tallet, brukte henholdsvis Nichia i Japan og Cree i USA MOCVD-teknologi i GaN-baserte LED-epitaksiale wafere med enhetsstrukturer. vellykket dyrket på safir- og SiC-substrater, og blå, grønne og fiolette LED-enheter med høy lysstyrke ble produsert.
Fremveksten av LED-enheter med ultrahøy lysstyrke har åpnet ekstremt strålende utsikter for utvidelse av LED-applikasjonsfelt. Den første er at økningen i lysstyrke gjør at bruken av LED-enheter beveger seg fra innendørs til utendørs. Selv i sterkt sollys kan disse LED-rørene på cd-nivå fortsatt skinne sterkt og fargerikt. For tiden har den blitt mye brukt i utendørs storskjermvisning, kjøretøystatusindikasjon, trafikklys, LCD-bakgrunnsbelysning og generell belysning. Den andre egenskapen til ultralyse lysdioder er utvidelsen av emisjonsbølgelengden. Fremveksten av InGaAlP-enheter utvider emisjonsbåndet til det kortbølgede gulgrønne området på 570 nm, mens GaN-baserte enheter utvider emisjonsbølgelengden ytterligere til de grønne, blå og fiolette båndene. På denne måten gjør LED-enheter ikke bare WORLD fargerik, men gjør det også mulig å produsere solid-state hvite lyskilder. Sammenlignet med konvensjonelle lyskilder er LED-enheter kalde lyskilder med lang levetid og lavt strømforbruk. For det andre har LED-enheter også fordelene med liten størrelse, solid og holdbar, lav driftsspenning, rask respons og enkel tilkobling til datamaskiner. Statistikk viser at i de siste fem årene av det tjuende århundre har bruksmarkedet for LED-produkter med høy lysstyrke opprettholdt en vekst på mer enn 40 prosent. Med gjenoppretting av VERDENsøkonomien og starten på prosjektet med hvit belysning, antas det at produksjon og bruk av LED vil innlede et større klimaks.
